IRLR7843PBF和IRLR8743PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7843PBF IRLR8743PBF IRLR7843TRPBF

描述 INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 VINFINEON  IRLR8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 140 W 135 W 140 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0031 Ω 0.0026 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 135 W 140 W

阈值电压 2.3 V 1.9 V 2.3 V

输入电容 4380pF @15V 4880pF @15V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 161A 160A 161A

上升时间 42 ns 35 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 4380pF @15V(Vds) 4880pF @15V(Vds) 4380pF @15V(Vds)

下降时间 19 ns 17 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 135W (Tc) 140W (Tc)

额定功率(Max) 140 W - 140 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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