BD17910STU和BD179G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD17910STU BD179G

描述 TRANS NPN 80V 3A TO-126ON SEMICONDUCTOR  BD179G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) 30 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 30000 mW

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V

额定电流 - 3.00 A

针脚数 - 3

极性 - NPN

耗散功率 - 30 W

增益频宽积 - 3 MHz

集电极最大允许电流 - 3A

直流电流增益(hFE) - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

长度 - 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm

高度 - 11.04 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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