对比图
型号 CY14B104N-BA25XIT CY14B104NA-BA25XI CY14B104N-BA25XI
描述 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAMCY14B104 系列 4 Mb (256 kb x 16) 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-484兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48
引脚数 48 48 -
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
存取时间(Max) 25 ns 25 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
供电电流 - 70 mA -
耗散功率 - 1 W -
存取时间 - 25 ns -
封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48
高度 0.89 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -