JANTX1N5806US和JANTXV1N5806

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5806US JANTXV1N5806 1N5806US

描述 Diode Superfast Recovery Diode 150V 2.5A 2Pin SMDDiode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111军事批准的高效率2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SMD G-111 A-MELF

正向电压 - 0.875 V 875mV @1A

热阻 - - 13 ℃/W

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

正向电流 - 3300 mA 2500 mA

正向电压(Max) - - 875mV @1A

正向电流(Max) - 3.3 A 2500 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

封装 SMD G-111 A-MELF

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

军工级 - - Yes

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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