对比图
型号 IRFB38N20D IRFB38N20DPBF
描述 TO-220AB N-CH 200V 38AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 320 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.054 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 320 W 320 W
阈值电压 - 5 V
输入电容 - 2900 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 38A
上升时间 - 95 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W
下降时间 - 47 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 300W (Tc)
产品系列 IRFB38N20D -
漏源击穿电压 200 V -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm
高度 - 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17