2N2060和JAN2N2060L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2060 JAN2N2060L

描述 规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 6 -

封装 TO-78-6 TO-78-6

耗散功率 0.6 W -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 600 mW -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 2.12 W

封装 TO-78-6 TO-78-6

材质 Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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