MUN5131DW1T1和MUN5131T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5131DW1T1 MUN5131T1

描述 Dual Bias Resistor TransistorsPNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SC-70-3

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -100 mA

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 202 mW

封装 - SC-70-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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