STB80NF12T4和STW80NF12

对比图

型号 STB80NF12T4 STW80NF12 IXTA80N12T2

描述 Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道120V - 0.013ohm -80A TO- 220 / TO- 247 / TO- 220FP / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFETTO-263AA N-CH 120V 80A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-247 TO-263-3

漏源极电阻 18.0 mΩ - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300 W - 325W (Tc)

漏源击穿电压 120 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A

上升时间 145 ns - -

下降时间 115 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

漏源极电压(Vds) - 120 V 120 V

输入电容(Ciss) - - 4740pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 325W (Tc)

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

封装 TO-263-3 TO-247 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)