FDFS2P753AZ和FDFS2P753Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDFS2P753AZ FDFS2P753Z

描述 集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V , -3A ,115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFS2P753Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -2.1 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

通道数 1 1

漏源极电阻 115 mΩ 0.069 Ω

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 1.6 W 1.6 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 3A 3.00 A

上升时间 4 ns 31 ns

输入电容(Ciss) 455pF @15V(Vds) 455pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 1.6 W

下降时间 4 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta) 1.6W (Ta)

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -3.00 A

针脚数 - 8

输入电容 - 455 pF

栅电荷 - 9.30 nC

栅源击穿电压 - ±25.0 V

长度 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.75 mm 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

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