BFR30LT1G和FR302

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR30LT1G FR302 BFR30LT1

描述 JFET放大器( N沟道) JFET Amplifiers(N-Channel)N-channel FET TO-236 3-PinJFET放大器( N沟道) JFET Amplifiers(N-Channel)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 1.00 mA - 1.00 mA

极性 N-Channel - N-Channel

输入电容 5.00 pF - 5.00 pF

漏源极电压(Vds) 25 V - 25 V

栅源击穿电压 25.0 V - 25.0 V

输入电容(Ciss) 5pF @10V(Vds) - 5pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 225 mW

耗散功率 300 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

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