FDN342P和NTR1P02LT1G

对比图

型号 FDN342P NTR1P02LT1G AO3401A

描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02LT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23-30V,-4A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -2.00 A -1.30 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.062 Ω 0.14 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 500 mW 400 mW 1.4 W

输入电容 635 pF 225 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 1.30 A, 1.30 mA 4A

上升时间 8 ns 15 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 635pF @10V(Vds) 225pF @5V(Vds) 1200pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 400 mW 1.4 W

下降时间 19 ns 20 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 400mW (Ta) 1.4W (Ta)

阈值电压 1.05 V - -

栅电荷 6.30 nC - -

额定功率 - - 1.4 W

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - NLR