对比图
型号 FGL60N100BNTD FGL60N100BNTDTU
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3
针脚数 3 -
耗散功率 180 W 180000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 1000 V 1000 V
反向恢复时间 1.2 µs 1.2 µs
额定功率(Max) 180 W 180 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180000 mW 180000 mW
额定电压(DC) 1.00 kV -
额定电流 60.0 A -
额定功率 180 W -
极性 N-Channel -
上升时间 320 ns -
封装 TO-264-3 TO-264-3
长度 20 mm -
宽度 5 mm -
高度 26 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not For New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99