BQ4013YMA-70和DS1245AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013YMA-70 DS1245AB-70+ BQ4013YMA-70N

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V

供电电流 50 mA - 50 mA

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

针脚数 - 32 -

长度 42.8 mm - 42.8 mm

宽度 18.42 mm 18.8 mm 18.42 mm

高度 9.4 mm - 9.4 mm

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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