对比图
型号 BFU725F/N1 BFU725F,115 BFU725F
描述 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors射频(RF)双极晶体管 RF NPN TransistorNPN宽带硅锗RF晶体管 NPN wideband silicon germanium RF transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 SOT-343 SOT-343 SO-4
极性 - NPN -
耗散功率 - 136 mW -
输入电容 - 0.342 pF -
击穿电压(集电极-发射极) - 2.8 V -
增益 - 10dB ~ 24dB -
最小电流放大倍数(hFE) 160 300 @10mA, 2V -
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
额定功率(Max) - 136 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) 136 mW 136 mW 136 mW
长度 2.2 mm 2.2 mm -
宽度 1.35 mm 1.35 mm -
高度 1 mm 0.75 mm -
封装 SOT-343 SOT-343 SO-4
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -