BR24C21F-E2和BR24C21FJ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24C21F-E2 BR24C21FJ BR24C21FJ-E2

描述 EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)ID ROM的CRT显示器 ID ROM for CRT displayEDID存储器(显示) EDID Memory (For display)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOP-8 SOP- SOIC-8

时钟频率 400 kHz, 400 kHz (max) - 400 kHz

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V - 2.5 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

存取时间 400 ms - -

内存容量 1000 B - -

长度 - - 4.9 mm

宽度 4.4 mm - 3.9 mm

高度 - - 1.38 mm

封装 SOP-8 SOP- SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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