对比图
型号 PHP143NQ04T PHP143NQ04T,127 PSMN4R0-40YS
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTO-220AB N-CH 40V 75ANXP PSMN4R0-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3.2 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 4
封装 TO-220-3 TO-220-3 SOT-669
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 106 W
漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75A 100A
输入电容(Ciss) - 2840pF @25V(Vds) 2410pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 200 W -
耗散功率(Max) - 200W (Tc) 106 W
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 3.2 mΩ
阈值电压 - - 3 V
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 75.0 A - -
输入电容 2.84 nF - -
栅电荷 52.0 nC - -
上升时间 51 ns - -
下降时间 56 ns - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 SOT-669
长度 10.3 mm - 5 mm
宽度 4.7 mm - 4.1 mm
高度 9.4 mm - 1.1 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tube Rail, Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17