P1087和PMBFJ174,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P1087 PMBFJ174,215 PMBFJ177,215

描述 P沟道开关 P-Channel SwitchNXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFETP 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

漏源极电阻 150 Ω 85 Ω 300 Ω

耗散功率 360 mW 300 mW 300 mW

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

栅源击穿电压 30 V 30 V 30 V

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 45pF @15V(Vds) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -5.00 mA - -

极性 P-Channel P-Channel -

连续漏极电流(Ids) 5.00 mA - -

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 5.33 mm 1 mm 1 mm

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2019/01/15

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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