MJD128T4和MJD128T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD128T4 MJD128T4G

描述 DPAK PNP 120V 8A互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -120 V -120 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

极性 PNP PNP

耗散功率 1750 mW 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 12000

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3

高度 2.38 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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