对比图
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 -
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 1.00 A -
漏源极电阻 - 1.50 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 2.9 W -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 0.85A 1.00 A 1.13A
上升时间 - 6 ns -
输入电容(Ciss) - 206pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 2.9 W -
下降时间 - 5 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2.9W (Tc) -
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 3.5 mm -
高度 - 1.8 mm -
封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -