BCW32和BZX384-C11,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW32 BZX384-C11,115 BCW32LT1G

描述 NXP  BCW32  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 330 hFENXP  BZX384-C11,115  单管二极管 齐纳, 11 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2 3

封装 SOT-23 SOD-323 SOT-23-3

容差 - ±5 % -

针脚数 3 2 3

正向电压 - 1.1V @100mA -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 300 mW 225 mW

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 11 V -

正向电压(Max) - 1.1V @100mA -

额定功率(Max) - 300 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 32.0 V

额定电流 - - 100 mA

击穿电压(集电极-发射极) - - 32 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 - 200 @2mA, 5V

直流电流增益(hFE) 330 - 200

工作温度(Min) -65 ℃ - -50 ℃

耗散功率(Max) 250 mW - 225 mW

封装 SOT-23 SOD-323 SOT-23-3

长度 3 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1 mm - 1.11 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

温度系数 - 7.4 MV/K -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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