对比图
描述 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 12V; RDS(ON) 11.5 Milliohms; ID 10A; SO-8; PD 2W; -55degSTMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 50 mΩ 30 mΩ
极性 N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W
输入电容 1730pF @6V -
漏源极电压(Vds) 12 V 20 V
漏源击穿电压 12 V 20.0 V
输入电容(Ciss) 1730pF @6V(Vds) 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 20.0 V
额定电流 - 5.00 A
额定功率 - 1.6 W
针脚数 - 8
阈值电压 - 2.7 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) - 5.00 A
上升时间 - 33 ns
下降时间 - 10 ns
耗散功率(Max) - 2 W
长度 5 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99