对比图
型号 2SK214 FDD6N20TF PHD9NQ20T,118
描述 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FETN沟道MOSFET N-Channel MOSFETDPAK N-CH 200V 8.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-220 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 160 V - -
额定电流 500 mA - -
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 160 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 4.5A 8.7A
耗散功率 - 40W (Tc) 88 W
输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 40 W 88 W
耗散功率(Max) - 40W (Tc) 88W (Tc)
通道数 - - 1
上升时间 - - 19 ns
下降时间 - - 15 ns
封装 TO-220 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - - 6.22 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -