对比图
型号 FDC654P FDC658P RRQ030P03TR
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC654P 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 VP 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -3.60 A -4.00 A -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.063 Ω 0.041 Ω 55 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 1.6 W 1.25 W
输入电容 298 pF 750 pF -
栅电荷 6.20 nC 8.00 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V -30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.60 A -4.00 A 3A
上升时间 13 ns 14 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 298pF @15V(Vds) 750pF @15V(Vds) 480pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1.25 W
下降时间 6 ns 16 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 600mW (Ta)
通道数 - - 1
长度 3 mm 3 mm 3 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.8 mm
高度 1 mm 1 mm 0.95 mm
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -