IRFB4127PBF和SUM65N20-30-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4127PBF SUM65N20-30-E3 IRFB4227PBF

描述 INFINEON  IRFB4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 VN 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorINFINEON  IRFB4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263 TO-220-3

额定功率 375 W - 190 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.017 Ω 0.03 Ω 0.0197 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 3.75 W 330 W

阈值电压 5 V 4 V 5 V

输入电容 5380 pF - 4600 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) 76A 65.0 A 65A

上升时间 18 ns 220 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 5380pF @50V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W - 330 W

下降时间 22 ns 200 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW 375 W 330W (Tc)

长度 10.67 mm 10.41 mm 10.66 mm

宽度 4.4 mm 9.652 mm 4.82 mm

高度 15.65 mm 4.826 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-263 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台