BSO104N03S和SI4410DYTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO104N03S SI4410DYTRPBF BSO094N03S

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS®2 Power-TransistorINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

引脚数 - 8 -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 13.0 A - 13.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1560 mW 2.5 W 1.56 W

输入电容 2.13 nF 1585 pF 2.30 nF

栅电荷 16.0 nC - 18.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A - 13.0 A

上升时间 4.2 ns 7.7 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 2130pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 2300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 2.5 W 1.56 W

下降时间 4.2 ns 44 ns 4.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.01 Ω -

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.75 mm 1.75 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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