NTJD4001NT1G和NTJD5121NT1G

对比图

型号 NTJD4001NT1G NTJD5121NT1G NTJD4001NT2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTJD4001NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 VON SEMICONDUCTOR  NTJD5121NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V0.25A,30V,双N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

引脚数 6 6 -

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 30 V

输入电容(Ciss) 33pF @5V(Vds) 26pF @20V(Vds) 33pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 272 mW 250 mW 272 mW

耗散功率(Max) 2.72 W 266 mW 272 mW

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 1 Ω 1 Ω -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 272 mW 266 mW -

阈值电压 1.2 V 1.7 V -

连续漏极电流(Ids) 250 mA 330 mA, 295 mA -

上升时间 23 ns 34 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

下降时间 82 ns 32 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 250 mA - -

输入电容 20pF @5V - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SC-70-6 SOT-363 TSSOP-6

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99