对比图
描述 Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK-252 TO-252-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V
额定电流 17.0 A 12.0 A
耗散功率 45 W 30 W
产品系列 IRFR024N -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A
上升时间 34.0 ns 35 ns
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.08 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 3 V
输入电容 - 350 pF
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 30 W
下降时间 - 13 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 42.8W (Tc)
封装 DPAK-252 TO-252-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99