ULN2002A和ULQ2003AN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2002A ULQ2003AN ULN2003AN

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2002A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AN  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 DIP-16 PDIP-16 PDIP-16

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

输出电压 50 V - 50 V

输出电流 500 mA - 0.6 A

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

直流电流增益(hFE) 1000 1000 600

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

输入电压 13 V - 30 V

输出接口数 - 7 7

通道数 - - 7

正向电压 - - 1.70 V

输入电流 - - 930 µA

耗散功率 - - 25 W

输入电容 - - 15.0 pF

驱动器/包 - 7 7

输入电压(Max) - - 5 V

输出电压(Max) - - 50 V

输出电流(Max) - 500 mA 500 mA

长度 20 mm 19.3 mm 19.3 mm

宽度 7.1 mm 6.35 mm 6.35 mm

高度 5.1 mm 4.57 mm 4.57 mm

封装 DIP-16 PDIP-16 PDIP-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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