对比图
描述 STMICROELECTRONICS BD237 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR BD237G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 3 hFE
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
针脚数 3 3
极性 NPN NPN
耗散功率 25 W 25 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
直流电流增益(hFE) 40 3
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
频率 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 100 V 80.0 V
额定电流 2.00 A 2.00 A
额定功率 25 W -
增益频宽积 3 MHz -
最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 25 @1A, 2V
额定功率(Max) 25 W 25 W
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW
集电极最大允许电流 - 2A
封装 TO-126-3 TO-126-3
长度 7.8 mm -
宽度 2.7 mm -
高度 10.8 mm -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free
材质 Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Bulk
ECCN代码 EAR99 EAR99