对比图
型号 TPS1100D TPS1100DR FDS4435BZ
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -15.0 V - -30.0 V
额定电流 -1.60 A - -8.80 A
输出电压 -15.0 V - -
漏源极电阻 0.18 Ω - 0.016 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 791 mW 0.791 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -1.60 A 1.6A -8.80 A
上升时间 10 ns 10 ns 6 ns
额定功率(Max) 791 mW 791 mW 1 W
下降时间 2 ns 2 ns 12 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 2.5W (Ta)
通道数 - 1 1
针脚数 - - 8
输入电容 - - 1.36 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
输入电容(Ciss) - - 1845pF @15V(Vds)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.91 mm 4 mm
高度 - 1.75 mm 1.5 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - - EAR99