对比图
型号 BSP88 L6327 BSP88H6327XTSA1
描述 INFINEON BSP88 L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 VINFINEON BSP88H6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-223-3 SOT-223-4
额定功率 - 1.8 W
通道数 - 1
针脚数 4 4
漏源极电阻 4 Ω 4 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.8 W 1.8 W
阈值电压 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 240 V 240 V
漏源击穿电压 - 240 V
连续漏极电流(Ids) 350 mA 0.35A
上升时间 3.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 95pF @25V(Vds) 95pF @25V(Vds)
下降时间 18.9 ns 18.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1800 mW 1.8W (Ta)
额定电压(DC) 240 V -
额定电流 350 mA -
输入电容 95.0 pF -
栅电荷 6.80 nC -
额定功率(Max) 1.8 W -
长度 - 6.5 mm
宽度 - 3.5 mm
高度 - 1.6 mm
封装 SOT-223-3 SOT-223-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -