BC856ALT1G和BC856ALT3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856ALT1G BC856ALT3 BC 856A E6327

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE通用晶体管 General Purpose TransistorsTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -65.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

耗散功率 225 mW - 330 mW

增益频宽积 100 MHz - 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 330 mW

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

直流电流增益(hFE) 125 - -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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