对比图
型号 IPD038N04NGBTMA1 IPD038N06N3GATMA1
描述 DPAK N-CH 40V 90AN沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 94W (Tc) 188 W
漏源极电压(Vds) 40 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 90A 90A
上升时间 4.2 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @20V(Vds) 8000pF @30V(Vds)
下降时间 5.2 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 94W (Tc) 188W (Tc)
额定功率 - 188 W
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free