对比图
型号 FDN302P NTR1P02LT1G IRLML2244TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 VON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23INFINEON IRLML2244TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - - 1.3 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 55 mΩ 0.14 Ω 0.042 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 500 mW 400 mW 1.3 W
阈值电压 - - 1.1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -2.40 A 1.30 A, 1.30 mA 4.3A
上升时间 11 ns 15 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 882pF @10V(Vds) 225pF @5V(Vds) 570pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 400 mW 1.3 W
下降时间 11 ns 20 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 400mW (Ta) 1.3W (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -2.40 A -1.30 A -
输入电容 - 225 pF -
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 20 V - -
长度 2.92 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm - 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -