IRFP4229PBF和STW52NK25Z

对比图

型号 IRFP4229PBF STW52NK25Z

描述 250V,44A,单N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 250 V

额定电流 - 52.0 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 38 mΩ 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 300 W

阈值电压 5 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

漏源击穿电压 - 250 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 26.0 A

上升时间 - 75 ns

输入电容(Ciss) 4560pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 300 W

下降时间 - 55 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300000 mW

通道数 1 -

产品系列 IRFP4229 -

长度 - 15.75 mm

宽度 5.31 mm 5.15 mm

高度 - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17