对比图
描述 Power MosfetsTEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - - TO-220-3
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 10.0 A
耗散功率 - - 40 W
输入电容 - - 600 pF
漏源极电压(Vds) - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A
上升时间 - - 45 ns
输入电容(Ciss) - - 600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 40 W
下降时间 - - 55 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 40000 mW
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
封装 - - TO-220-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 - - Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - - Contains Lead