BFS17和MPS3563G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFS17 MPS3563G BFS17L

描述 Transistor,放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconSot23 Npn Silicon Planar Rf Transistors

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-226-3 SOT-23

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 850 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @8mA, 10V -

额定功率(Max) - 350 W -

封装 - TO-226-3 SOT-23

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台