MPS3563G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS3563G概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

RF NPN 12V 50mA 1.5GHz 350W 通孔 TO-92

得捷:
TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk

MPS3563G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 N-Channel

耗散功率 850 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V

额定功率Max 350 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MPS3563G

描述：放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

替代型号MPS3563G