IRF730APBF和IRF730_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF730APBF IRF730_NL STP7NK40Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3Pin (3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP7NK40Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 5.50 A - 5.40 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1 Ω - 1 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 74 W - 70 W

阈值电压 4.5 V - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V - 400 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.5A 5.40 A

上升时间 22 ns - 15 ns

输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) - 535pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W - 70 W

下降时间 16 ns - 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定功率 - - 70 W

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 70W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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