TND524VS-TL-H和VNS3NV04TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TND524VS-TL-H VNS3NV04TR-E VNS3NV04D-E

描述 MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor### MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor门驱动器 N-Ch 40V 3.5A OmniOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器开关电源

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SMD-8 SO-8 SO-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

输出接口数 1 1 2

输出电流 - 3.5 A 3.5 A

漏源极电阻 - 120 mΩ 120 mΩ

极性 - N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 - 8.3 W 4.00 W

漏源击穿电压 - 40.0 V 45.0 V

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A 1.50 A

输出电流(Max) - 3.5 A 3.5 A

无卤素状态 Halogen Free - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 10V ~ 20V - -

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SMD-8 SO-8 SO-8

长度 2.9 mm - 4.9 mm

宽度 2.3 mm - 3.9 mm

高度 0.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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