对比图
描述 Silicon NPN Power Transistor对于T.V无线音频输出放大器 For T.V Radio Audio Output AmplifiersON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Inchange Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) - 350 V 350 V
额定电流 - 500 mA 500 mA
针脚数 - - 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) - 350 V 350 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) - 20 W 20 W
直流电流增益(hFE) - - 30
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - 20 W 20000 mW
封装 - TO-126-3 TO-126-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99