对比图
型号 SI4567DY-T1-E3 SI4599DY-T1-GE3
描述 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI4599DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 48 mΩ 0.0295 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.75 W 3 W
阈值电压 2.2 V 1.4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.75 W 3 W
长度 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm
封装 SOIC SOIC-8
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99