IRF7452TRPBF和STS4NF100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7452TRPBF STS4NF100 IRF7452

描述 INFINEON  IRF7452TRPBF  场效应管, MOSFETN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETSOIC N-CH 100V 4.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.00 A 4.5A

上升时间 11 ns 45 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 17 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 4.50 A 4.00 A -

漏源极电阻 0.06 Ω 65.0 mΩ -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 - -

产品系列 IRF7452 - -

阈值电压 5.5 V - -

输入电容 930 pF - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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