对比图
型号 BLF0810S-180 PD57070STR-E PD57070-E
描述 Base station LDMOS transistorsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Philips (飞利浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管
封装 - SOT PowerSO-10RF
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 - SOT PowerSO-10RF
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
频率 - - 945 MHz
耗散功率 - - 95000 mW
输出功率 - - 70 W
增益 - - 14.7 dB
测试电流 - - 250 mA
输入电容(Ciss) - - 91pF @28V(Vds)
工作温度(Max) - - 165 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 95000 mW
额定电压 - - 65 V
工作温度 - - -65℃ ~ 165℃
ECCN代码 - - EAR99