STB100NF04T4和BUK763R1-40B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB100NF04T4 BUK763R1-40B,118 IPB120N04S3-02

描述 STMICROELECTRONICS  STB100NF04T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 40V 75A的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300000 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120 A 75A 120A

上升时间 220 ns 82 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 6808pF @25V(Vds) 14300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

下降时间 50 ns 90 ns 18 ns

耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0043 Ω - -

阈值电压 2 V - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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