IRF7389PBF和STS8C5H30L

对比图

型号 IRF7389PBF STS8C5H30L IRF7389TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7389PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7389TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 7.30 A 8.00 A 7.30 A

通道数 - 2 2

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.023 Ω 0.018 Ω 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W 1.6 W 2.5 W

产品系列 IRF7389 - IRF7389

阈值电压 1 V 1.6 V 1 V

输入电容 710 pF - 710 pF

栅电荷 34.0 nC - 34.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 8.00 A, 4.20 A 7.30 A

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

热阻 50℃/W (RθJA) - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 2500 mW 2000 mW -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

上升时间 - 35.0 ns -

宽度 - 4 mm 3.9 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -