对比图
型号 IPD70N03S4L-04 STD155N3LH6 IPB03N03LB
描述 MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.0036 Ω 3 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 68 W 110 W 150W (Tc)
输入电容 - 3800 pF 7.62 nF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
上升时间 - 85 ns -
输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds) 7624pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 68 W 110 W -
下降时间 - 40 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 68W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 1.5 V - -
连续漏极电流(Ids) 30A - 80.0 A
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 80.0 A
栅电荷 - - 59.0 nC
长度 6.5 mm 6.6 mm -
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.3 mm 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -