BD680G和MJE702G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD680G MJE702G BD680

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD680G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE702G  双极晶体管达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 40 W 40 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V - -

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW -

长度 7.74 mm 7.74 mm -

宽度 2.66 mm 2.66 mm -

高度 11.04 mm 11.04 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台