对比图
型号 PUMD15,115 PUMD15,135 BZB984-C3V3
描述 NXP PUMD15,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363TSSOP NPN+PNP 50V 100mANXP BZB984-C3V3 二极管阵列 齐纳, 3.3 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管齐纳二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 3
封装 SC-88-6 TSSOP-6 SOT-663
极性 NPN, PNP NPN+PNP -
耗散功率 200 mW 300 mW 425 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -
集电极最大允许电流 100mA 100mA -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V -
额定功率(Max) 300 mW 300 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -
测试电流 - - 5 mA
稳压值 - - 3.3 V
针脚数 6 - -
直流电流增益(hFE) 30 - -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-88-6 TSSOP-6 SOT-663
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17