对比图
型号 BFQ18A,115 BFG35,115 MRF559
描述 BFQ18A 系列 18 V 1 W 4 GHz 表面贴装 NPN 宽带 晶体管 - SOT-89NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3 4
封装 SOT-89-3 TO-261-4 Macro-X
耗散功率 1 W 1 W 2000 mW
输出功率 - - 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 18 V 18 V 16 V
增益 - - 9.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) 25 @100mA, 10V 25 @100mA, 10V 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) 1 W 1 W 2 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 2000 mW
频率 4000 MHz 4000 MHz -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN -
直流电流增益(hFE) 25 70 -
输入电容 11 pF - -
高度 1.6 mm 1.7 mm 2.54 mm
封装 SOT-89-3 TO-261-4 Macro-X
长度 4.6 mm 6.7 mm -
宽度 2.6 mm 3.7 mm -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -